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idecoptics 復(fù)享
致力于為半導(dǎo)體先進(jìn)制程提供集成測(cè)控產(chǎn)品和端到端一體化服務(wù)
8／公司介紹
上海復(fù)享光學(xué)股份有限公司成立于2011年，是一家服務(wù)于微納制造和基礎(chǔ)研究等領(lǐng)域的光學(xué)計(jì)量檢測(cè)儀器設(shè)備公司，是國(guó)內(nèi)光譜技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)，入選第五批國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人"企業(yè)，被上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)授予“上海微納制程智能檢測(cè)工程中心"建設(shè)單位。近年來(lái)，公司憑借自主研發(fā)的深度光譜技術(shù)平臺(tái)的深厚積累，瞄準(zhǔn)具有較大市場(chǎng)規(guī)模的卡脖子關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)重點(diǎn)突破，為半導(dǎo)體前道工藝的光刻、刻蝕、鍍膜、CMP、量檢測(cè)等領(lǐng)域的頭部企業(yè)提供核心光學(xué)子系統(tǒng)和深度算法，并配合客戶實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代需求，助力推動(dòng)微納制造發(fā)展。
O/半導(dǎo)體業(yè)務(wù)概覽
復(fù)享光學(xué)面向先進(jìn)制程、先進(jìn)封裝與先進(jìn)材料等產(chǎn)業(yè)方向，融合多維多模態(tài)感知技術(shù)，發(fā)展實(shí)時(shí)與原位的測(cè)控驅(qū)執(zhí)技術(shù)，為半導(dǎo)體裝備提供精準(zhǔn)可靠的集成式測(cè)控解決方案。
五大工藝過(guò)程
刻蝕與清洗過(guò)程組 離子注入過(guò)程組 圖形化過(guò)程組 沉積過(guò)程組 減薄與CMP過(guò)程組 + 量測(cè)與檢測(cè)
InView-OES
常規(guī)膜層刻蝕：Poly、SiNx、OX、PR、Metal等
VCSELmesa刻蝕、超薄膜層刻蝕、低開(kāi)口率刻蝕、高深寬比刻蝕、IBE刻蝕等極弱OES信號(hào)刻蝕場(chǎng)景下的終點(diǎn)抓取
干法去膠、PECVD腔室清潔等工藝控制場(chǎng)景
| InView-OES-ND | InView-OES-SM | |
| 类别 | High Performance | General Purpose |
| 波段 | 200-980 nm | 200-850 nm |
| 信噪比 | 1000:1 | 350:1 |
| 动态范围 | 25000:1 | 5500:1 |
| 分辨率 | 1.68nm@10 μm狭缝 | 2.5nm@50 μm狭缝 |
| 通讯方式 | 网口 | 网口 |
配備InView-IEP.BOX和ideaEPD工業(yè)軟件
可定制高效率光路
體積緊湊
可定制模型算法
< 1 % 原位膜厚監(jiān)測(cè)精度
良應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件：溝槽型SiCMOSFETtrench刻蝕
存儲(chǔ)器件：3DNANDstaircase刻蝕
邏輯器件：柵極刻蝕
其他復(fù)雜patternwafer刻蝕場(chǎng)景
薄膜沉積原位膜厚監(jiān)控
MetronFilm-EX(全波段款)
反射膜厚測(cè)量?jī)x
| 技术参数 | 参数指标 |
| 波长范围 | 190~1100nm |
| 光源 | 外置氘灯+卤素灯 |
| 厚度测量范围* | 1nm~260μm |
| 测量n&k最小厚度* | 50nm |
| 准确度*： | 1nm@≤500nm，或0.2%@≥500nm |
| 精度1 | 0.02nm |
| 稳定性² | 0.05nm |
| 光斑大小 | 1.5mm |
| 样品尺寸 | 直径从1mm到300mm或更大 |
| 测量速度 | 单层小于1秒 |
超寬測(cè)量范圍1nm - 2 6 0 \mu { m } , 從超薄膜至厚膜達(dá)到超廣覆蓋。\*
·溯源NIST,測(cè)量準(zhǔn)確性有保證，膜厚在 5 0 0 \mathsf { n m } 以下準(zhǔn)確度達(dá)到1nm，膜厚在500nm以上準(zhǔn)確度達(dá)到 1 0 . 2 % _ { \tt c } \*
著眼特色工藝，助力先進(jìn)制程
適用多種先進(jìn)工藝，可測(cè)單/多層膜的厚度和n&k。二元復(fù)合多層膜實(shí)測(cè)可多達(dá)232層(見(jiàn)文獻(xiàn)1)。可應(yīng)用于如3D NAND、A R + H C 復(fù)合光學(xué)涂層、PERC薄膜等的復(fù)雜膜系測(cè)量。
快速測(cè)量，單層膜測(cè)量1s內(nèi)完成;多層膜檢測(cè)耗時(shí)數(shù)量級(jí)下降。
光學(xué)測(cè)量；非接觸、非破壞測(cè)量
節(jié)省空間、配置靈活、支持定制化
\*參數(shù)均取決于材料，詳見(jiàn)技術(shù)規(guī)格 1 Fanetal.Light: Advanced Manufacturing(2021)2:27. https://doi.org/10.37188/lam.2021.027
2nm極薄膜測(cè)量 SiO2 on Si (2nm)
| Max | 2.85nm |
| Min | 2.62 nm |
| Range | 0.22nm (8%) |
| Average | 2.73nm |
| Std | 0.07nm |
MetronFilm-EX對(duì)低至2nm超薄膜實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)測(cè)量。
100次測(cè)量結(jié)果均達(dá)到標(biāo)注的準(zhǔn)確度標(biāo)準(zhǔn)（1nm或 0 . 2 % { \omega } 5 0 0 \mathsf { n m } 以上)
光刻膠厚度及n&k測(cè)量 光刻膠950-PMMA
MetronME-XT-300
全自動(dòng)穆勒矩陣橢偏儀
·先進(jìn)的雙旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器測(cè)量技術(shù)，單次測(cè)量可獲取16組全穆勒矩陣光譜;可實(shí)現(xiàn)MullerMatrix、橢偏參數(shù)Psi&Delta (N&C&S)、反射率R、透射率T、偏振反射率Rp/Rs、偏振透射率Tp/Ts、偏振度DOP光譜的高精度測(cè)量；
覆蓋寬測(cè)量波段，典型測(cè)量波段為245\~1000nm,支持向深紫外和紅外波段擴(kuò)展;測(cè)量靈敏度極高，可實(shí)現(xiàn)單原子層級(jí)膜厚測(cè)量準(zhǔn)度；配備自動(dòng)位移臺(tái)，支持兼容4\~12寸晶圓Mapping功能,掃描路徑參數(shù)化與自定義設(shè)置;支持自動(dòng)對(duì)焦模塊；高速光譜采集技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)毫秒級(jí)光譜測(cè)量與分析;·支持?jǐn)U展毫米級(jí)大光斑測(cè)量和微米級(jí)微光斑測(cè)量?jī)煞N模式;·可視化樣品對(duì)準(zhǔn)，便于進(jìn)行微區(qū)測(cè)量；·軟件具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析能力，材料庫(kù)包括上百種典型材料光學(xué)常數(shù)，人機(jī)交互方便快捷。
應(yīng)用領(lǐng)域
idecoptics 復(fù)享
讓制程更可控
上海復(fù)享光學(xué)股份有限公司ideaoptics Inc.
Tel: 400-001-5685
Web:www.ideaoptics.com
Sales Email:400@ideaoptics.cn
Add:上海市浦東新區(qū)金滬路358弄3號(hào)樓
